--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Dual-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 1. 產品簡介
702YW-VB 是一款雙通道 N+N 溝道功率 MOSFET,采用 SOT23-6 封裝。它具有60V的漏極-源極電壓(VDS),適合低壓應用。此產品采用了 Trench 技術,提供高性能和可靠性。
### 2. 參數說明
- **封裝類型:** SOT23-6
- **通道類型:** 雙 N+N 溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 60V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON)):**
- 3000mΩ @ VGS = 4.5V
- 1800mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 0.35A
- **技術:** Trench
### 3. 應用示例
702YW-VB 在多種領域和模塊中具有廣泛的適用性,以下是一些示例:
- **移動設備:** 在便攜式電子設備中,如智能手機、平板電腦,需要小尺寸和低功耗的 MOSFET 來驅動各種電路,702YW-VB 的低漏極-源極電壓和適中的漏極電流使其成為電源管理和信號處理電路的理想選擇。
- **電源管理:** 在低電壓電源管理中,如電池供電設備、小功率逆變器,702YW-VB 的60V VDS 和低導通電阻特性(尤其在高電壓下的1800mΩ @ 10V)可以提供高效的電能轉換和穩定的電源輸出。
- **汽車電子:** 在汽車電子系統中,需要處理低電壓和小電流的場合,例如傳感器和控制模塊,702YW-VB 可以提供可靠的性能和緊湊的封裝,適合應對汽車環境中的挑戰。
這些示例展示了 702YW-VB 在低電壓、小尺寸和低功耗應用中的優越性能和廣泛適用性,通過其 Trench 技術和優秀的電氣特性,支持了多個領域的電子和汽車應用需求。
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