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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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70N06L-TQ2-R-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 70N06L-TQ2-R-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介詳述:

MOSFET型號:70N06L-TQ2-R-VB  
封裝:TO263  
構(gòu)型:單N溝道  
耐壓(VDS):60V  
柵極-源極電壓(VGS):±20V  
閾值電壓(Vth):1.7V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 11mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):75A  
技術(shù):Trench  

### 詳細參數(shù)說明:

- **封裝類型**:TO263,適合高功率密度應(yīng)用,具有良好的散熱性能。
- **構(gòu)型**:單N溝道設(shè)計,優(yōu)化了導(dǎo)通電阻和開關(guān)速度。
- **耐壓**:60V,適用于中等電壓電源和功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。
- **柵極驅(qū)動**:支持高達±20V的柵極-源極電壓,提供靈活的控制。
- **閾值電壓**:1.7V,確保低壓下的良好開啟和關(guān)閉特性。
- **導(dǎo)通電阻**:
 - 12mΩ @ VGS=4.5V,低導(dǎo)通電阻在低電壓下有效降低功率損耗。
 - 11mΩ @ VGS=10V,進一步降低功率損耗,適合高電壓操作。
- **漏極電流**:75A,能夠處理高電流負載的需求。

### 應(yīng)用示例:

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:70N06L-TQ2-R-VB TO263 MOSFET 可以用于開關(guān)電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器,提升能源轉(zhuǎn)換效率和功率密度。

2. **電動車輛**:在電動車輛的電池管理系統(tǒng)和電機控制中,用作功率開關(guān)和電流調(diào)節(jié)器,支持高效能的動力傳輸和管理。

3. **工業(yè)自動化**:適用于工業(yè)電機驅(qū)動和自動化設(shè)備的功率放大器和開關(guān)控制,確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和高效能。

4. **服務(wù)器電源**:在高性能服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的電源管理模塊中,用作電流開關(guān)和電壓穩(wěn)定器,提供穩(wěn)定的電力輸出和節(jié)能優(yōu)勢。

這些示例展示了70N06L-TQ2-R-VB TO263 MOSFET在多個領(lǐng)域和模塊中的廣泛應(yīng)用,顯示了其在高功率、高效能電子系統(tǒng)中的優(yōu)異性能和適用性。

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