### 1. 產品簡介：

VBsemi 75N3LLH6-VB TO252 是一款單通道 N 型功率 MOSFET，采用了Trench溝槽結構技術，設計用于要求高效率和低導通電阻的應用場合。該器件具備30V的漏極-源極電壓（VDS），以及20V的最大柵極-源極電壓（VGS）范圍。優化的導通電阻和開關特性使其適用于高電流和快速開關的功率控制電路。

### 2. 詳細參數說明：

- **包裝類型（Package）**：TO252
- **結構配置（Configuration）**：單 N 型通道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：30V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V（典型）
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**：100A
- **技術特性（Technology）**：Trench（溝槽結構技術）

### 3. 應用舉例：

75N3LLH6-VB TO252 在多個領域和模塊中具有廣泛應用：

- **電源管理**：用于高效率的開關電源、穩壓器和DC-DC轉換器模塊中，特別適用于需要高電流密度和低功率損耗的應用。

- **電動工具**：在需要高功率輸出和頻繁開關的電動工具驅動電路中，能夠提供穩定的功率輸出和高效的能量轉換。

- **汽車電子**：在汽車電子系統中，如電動汽車的電池管理系統和驅動控制單元，用于實現高效能的能源管理和電動驅動控制。

以上示例展示了該產品在電源管理、電動工具和汽車電子領域中的應用潛力，體現了其在高電壓、高電流和低導通電阻要求下的優越性能和廣泛適用性。