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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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75T10P-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 75T10P-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 1. 產品簡介

75T10P-VB 是一款高性能單 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220 封裝。它具有100V的漏極-源極電壓(VDS),適合需要處理高電壓和高電流的功率應用。采用先進的 Trench 技術,該器件具有低導通電阻和高效率的特點。

### 2. 參數說明

- **封裝類型:** TO220
- **通道類型:** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 100V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 2.5V
- **導通電阻(RDS(ON)):**
 - 20mΩ @ VGS = 4.5V
 - 9mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 100A
- **技術:** Trench

### 3. 應用示例

75T10P-VB 適用于以下領域和模塊:

- **電動車輛驅動器:** 在電動車輛的驅動系統中,需要能夠處理高電壓和高電流的功率 MOSFET。75T10P-VB 的高漏極-源極電壓和低導通電阻使其非常適合用作電動車輛的電機驅動器件,能夠提供高效的功率轉換和精確的電機控制。

- **工業電源和逆變器:** 在工業電源和逆變器中,需要具有高穩定性和高效率的功率開關器件。75T10P-VB 可以在高頻率開關電路中實現低損耗和高效能轉換,適合工業自動化、通信基礎設施和太陽能逆變器等應用。

- **電源管理模塊:** 在各種電源管理模塊中,需要能夠快速響應和低壓降的功率 MOSFET。75T10P-VB 的優秀的導通電阻特性和高電流承載能力,使其成為電源管理和電能轉換模塊中的理想選擇,支持穩定的電源輸出和高效的能量轉換。

這些應用示例展示了 75T10P-VB 在高電壓、高電流和高效率能量轉換方面的優越性能和廣泛適用性,通過其先進的 Trench 技術和優秀的電氣特性,滿足了多個領域中對功率管理和電能轉換的嚴格要求。

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