--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT669
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
VBsemi 77280E-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,封裝為SOT669。該器件采用先進的Trench技術設計,能夠在較低的導通電阻和高電流容量下提供優越的開關性能。適用于需要高效能和高可靠性的各種電力轉換和管理應用中。
### 二、詳細參數說明
| 參數 | 數值 |
|----------------------|-------------------|
| 封裝類型 | SOT669 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 80V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.4V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 7.2mΩ @ VGS=4.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 6mΩ @ VGS=10V |
| 連續漏極電流 (ID) | 90A |
| 技術 | Trench |
### 三、應用領域和模塊示例
1. **電源管理系統**:
- 該MOSFET適用于開關電源(SMPS)、直流-直流轉換器(DC-DC Converter)等電源管理系統中。在這些系統中,77280E-VB的低導通電阻和高電流處理能力能夠顯著提高轉換效率和可靠性,滿足高效能電力轉換需求。
2. **電動汽車**:
- 在電動汽車的動力傳動系統和電池管理系統中,該MOSFET可以用于逆變器、充電模塊和電機控制模塊。其高電流承載能力和低開關損耗能夠支持高性能電動汽車的嚴格要求,提升整體能源效率。
3. **工業自動化**:
- 該MOSFET可以應用于工業自動化設備的驅動電路,如機器人控制系統、可編程邏輯控制器(PLC)和伺服驅動器。其耐高壓特性和可靠的開關性能使其在工業環境中能夠承受高負荷操作,確保設備的穩定運行。
4. **通信設備**:
- 在基站電源和服務器電源管理中,77280E-VB可以用于功率放大器模塊和電源分配單元中。其高效的電流傳輸和低損耗特性能夠優化通信設備的電源效率,降低能源消耗和散熱需求。
通過這些應用實例,可以看出VBsemi 77280E-VB MOSFET在多個領域中具有廣泛的適用性,能夠滿足各種高效能和高可靠性需求。
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