--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
7N80K5-VB是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝,適用于高電壓和中功率應用。該器件采用SJ_Multi-EPI技術,結合了多重外延(Multi-EPI)工藝的優勢,具有較高的漏源電壓能力和穩定的性能特征,適合各種需要高耐壓和可靠性的電力電子設計。
### 詳細參數說明
- **型號**:7N80K5-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:800V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:770mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:7A
- **技術**:SJ_Multi-EPI(多重外延)
### 應用領域和模塊舉例
1. **電源管理**
- **開關電源**:由于其高漏源電壓和適中的導通電阻,7N80K5-VB適用于開關電源中的功率開關和穩壓器,確保穩定的電力輸出。
- **UPS系統**:在不間斷電源系統中,該MOSFET可以作為關鍵的功率開關元件,確保在電網故障時持續供電。
2. **工業電力控制**
- **電力傳輸設備**:用于電力傳輸系統中的功率開關和保護裝置,確保電網的穩定運行和電力負荷分配。
- **工業電機驅動**:在工業自動化領域中,可以用于電機控制系統的功率開關和速度調節。
3. **電動車充電設備**
- **電動車充電樁**:用于電動汽車充電樁中的功率轉換和電力管理,支持快速充電技術。
4. **太陽能逆變器**
- **太陽能發電系統**:適用于太陽能逆變器中,將太陽能電池板產生的直流電轉換為交流電,供電給家庭和商業建筑。
7N80K5-VB以其高耐壓能力、低導通電阻和多重外延技術的優勢,適合于需要高效能和高可靠性的電力電子應用,為各種高功率設備提供穩定的電力控制和管理解決方案。
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