### 產品簡介
86T02GH-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO252封裝，具有高電流承載能力和低導通電阻。該器件采用Trench技術，適合需要高效能和高可靠性的電子應用。
### 詳細參數說明
- **型號**：86T02GH-VB
- **封裝**：TO252
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**：30V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：3mΩ @ VGS=4.5V, 2mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：100A
- **技術**：Trench（溝道）
### 應用領域和模塊舉例
86T02GH-VB因其低導通電阻和高漏極電流的特點，適用于多種高功率密度和高效率的電子設備和系統，例如：
1. **電源管理**
- **DC-DC轉換器**：用于便攜式電子設備、工業控制系統和電動車輛電池管理系統中，提供高效能的電能轉換。
- **電源適配器和充電器**：在各種充電設備和便攜式電子產品中，支持高效的電源管理和充電功能。
2. **電動車輛**
- **電動汽車和電動摩托車**：用于電機控制、電池管理和動力轉換器，提供高效的動力傳輸和節能環保的解決方案。
3. **工業自動化**
- **工業機器人和自動化生產線**：在高性能電機控制系統和電力轉換器中，提供穩定的電力傳輸和高效的工業自動化解決方案。
4. **消費電子**
- **服務器和通信設備**：在數據中心和通信基礎設施中，用于高效的功率管理和電源模塊控制，支持設備的高性能運行和穩定性。
86T02GH-VB的設計特性使其成為電子工程師在設計需要高性能、高可靠性和節能環保的電子設備時的理想選擇，能夠顯著提升設備的功效和穩定性。
