### 8N60H-VB MOSFET 產品簡介

8N60H-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 Plannar 技術制造，封裝為 TO220。該器件具有高達600V 的漏源電壓 (VDS) 能力，適合于中等電壓電路設計。它的柵源電壓 (VGS) 為 ±30V，閾值電壓 (Vth) 約為 3.5V。在 VGS=10V 時，導通電阻 (RDS(ON)) 為780mΩ，漏極電流 (ID) 最大可達8A。這些特性使得該器件在需要處理中等電壓和適度電流的應用中表現優秀。

### 8N60H-VB 詳細參數說明

- **封裝形式**：TO220
- **配置**：單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：600V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
 - 1070mΩ @ VGS=4.5V
 - 780mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：8A
- **技術**：Plannar

### 適用領域和模塊舉例

#### 電源供應和開關電源
8N60H-VB TO220 MOSFET 在電源供應和開關電源中應用廣泛。例如，在開關電源中，它可以用于開關調節器和直流-直流轉換器，確保高效能源轉換和電源穩定性。

#### 工業自動化控制
該器件適用于工業自動化控制系統中的電力開關和驅動器。它可以用于工業機器人控制、電動機驅動和工業自動化設備的電源管理，提高系統的響應速度和能效。

#### 照明和LED驅動
在照明應用中，8N60H-VB 可以用于LED驅動器和照明控制系統中，幫助實現高效能源轉換和燈光調節功能，提高照明系統的效率和穩定性。

以上例子展示了該型號 MOSFET 在不同領域和模塊中的多樣應用，說明其適應性和性能優勢，能夠滿足多種工程設計需求。