--- 產品參數 ---
- 封裝 DFN8(3X3)
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 8NH3L-VB MOSFET 產品簡介
8NH3L-VB是一款單N溝道MOSFET,采用DFN8(3X3)封裝,適合于小型電子設備和電路板的緊湊空間。它具有低導通電阻和高電流承受能力,適用于需要高效能和高功率密度的應用場合。
### 8NH3L-VB 詳細參數說明
- **封裝類型 (Package)**: DFN8(3X3)
- **配置 (Configuration)**: 單N溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 19mΩ @ VGS = 4.5V
- 13mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術 (Technology)**: Trench
### 適用領域和模塊應用示例
8NH3L-VB MOSFET適用于以下各種領域和模塊中:
1. **電源管理**: 在小型電子設備和便攜式設備的電源管理電路中,用于提供高效能的電源開關和穩定的電流控制。
2. **電機驅動**: 作為電機驅動電路中的開關元件,用于電動工具、無人機和其他電動設備中,提供高功率密度和高效率的電機控制。
3. **電動車輛**: 在電動汽車和電動自行車的電池管理和功率控制系統中,用于電池充放電管理和驅動電機的高效能功率轉換。
4. **消費電子**: 在智能手機、平板電腦和筆記本電腦等便攜式電子設備的電源管理和功率控制電路中,優化電池壽命和設備性能。
5. **LED照明**: 在高亮度LED照明系統中,用于LED驅動電路的高效能控制和穩定的電流輸出,提供持久的照明效果和能效。
8NH3L-VB MOSFET因其小尺寸、低導通電阻和高電流能力,特別適用于對空間和效能要求較高的現代電子設備和系統中。
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