### 一、產品簡介

VBsemi 8NM60ND-VB 是一款單N溝道場效應管（MOSFET），采用TO220F封裝。它具有高達650V的漏極電壓承受能力和680mΩ的低導通電阻。

### 二、詳細參數說明

| 參數                   | 數值                |
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| 封裝類型               | TO220F              |
| 配置                   | 單N溝道              |
| 漏源電壓 (VDS)         | 650V                |
| 柵源電壓 (VGS)         | ±30V                |
| 閾值電壓 (Vth)         | 3.5V                |
| 導通電阻 (RDS(ON))     | 680mΩ @ VGS=10V     |
| 連續漏極電流 (ID)      | 12A                 |
| 技術                   | Plannar             |

### 三、應用領域和模塊示例

1. **電源管理**：
  - 8NM60ND-VB 可以用于開關電源的主要開關管，如逆變器和開關電源單元，以實現高效能的電能轉換和穩定的電源輸出。

2. **電動車充電器**：
  - 在電動車充電器中，該器件可以作為功率開關管，用于控制電動車電池充電時的電流和電壓，確保充電過程高效而安全。

3. **工業控制系統**：
  - 由于其高電壓和高電流特性，適用于工業自動化控制系統中的電力開關和控制模塊，例如工廠機械設備的電源控制和電動機驅動。

4. **太陽能逆變器**：
  - 在太陽能發電系統中，用作逆變器的關鍵部件，確保從太陽能板收集的直流電能能夠高效地轉換為可用的交流電能。

以上示例說明了 8NM60ND-VB 在高壓、高效率能源轉換和穩定性要求較高的各種應用場合中的廣泛應用。