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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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900N20NS3-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 900N20NS3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 900N20NS3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

900N20NS3-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 Trench 技術(shù)制造,封裝為 DFN8 (5X6)。它具有200V 的漏源電壓 (VDS) 能力,適合于中等電壓應(yīng)用的電路設(shè)計(jì)。該器件的柵源電壓 (VGS) 為 ±20V,閾值電壓 (Vth) 約為 3V。在 VGS=10V 時(shí),導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為38mΩ,漏極電流 (ID) 最大可達(dá)30A。這些特性使得該器件在需要高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用中具有優(yōu)異的性能。

### 900N20NS3-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝形式**:DFN8 (5X6)
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:200V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 38mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:30A
- **技術(shù)**:Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

#### 電源管理和開關(guān)電路
900N20NS3-VB 可以廣泛應(yīng)用于電源管理系統(tǒng)和各類開關(guān)電路中。例如,它適用于高效率的 DC-DC 變換器、電源開關(guān)和逆變器,為電子設(shè)備提供穩(wěn)定和高效的電力轉(zhuǎn)換。

#### 電動(dòng)車輛和充電設(shè)備
在電動(dòng)車輛的驅(qū)動(dòng)電路和充電設(shè)備中,該器件能夠承受動(dòng)態(tài)負(fù)載和高功率需求。它可用于電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電池管理系統(tǒng)和快速充電設(shè)施,支持可靠和高效的能量轉(zhuǎn)換。

#### 工業(yè)自動(dòng)化和電力電子
900N20NS3-VB 在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)和各類電力電子設(shè)備中也有重要應(yīng)用。它適用于工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、機(jī)器人控制、以及電力工具的功率開關(guān),確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和精確控制。

以上例子展示了 900N20NS3-VB MOSFET 在多種領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用,說明其在高電壓、高電流環(huán)境下的優(yōu)越性能和廣泛適用性。

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