### 915310E-VB MOSFET
#### 一、產品簡介
915310E-VB 是一款單 N 溝道功率 MOSFET，采用 SOT669 封裝。該器件具有 100V 的漏源電壓（VDS），最大柵源電壓（VGS）為 ±20V，和典型的閾值電壓（Vth）為 1.4V。915310E-VB 采用了先進的溝槽技術，具有極低的導通電阻（RDS(ON)），在 VGS=4.5V 時為 13.92mΩ，在 VGS=10V 時為 11.6mΩ。這使得它能夠在高電流應用中提供高效能，最大連續漏極電流（ID）為 69A。
#### 二、詳細參數說明
- **封裝類型**：SOT669
- **配置**：單 N 溝道
- **漏源電壓（VDS）**：100V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.4V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- VGS=4.5V 時：13.92mΩ
- VGS=10V 時：11.6mΩ
- **最大連續漏極電流（ID）**：69A
- **技術類型**：溝槽技術
#### 三、適用領域和模塊舉例
915310E-VB 的高電流處理能力和低導通電阻使其非常適用于高效電源管理和功率轉換應用。具體來說：
- **電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）**：該 MOSFET 可以用于電動汽車和混合動力汽車中的電機驅動模塊，以提高電機的效率和減少功率損耗。
- **太陽能逆變器**：在太陽能光伏系統中，915310E-VB 可用于逆變器模塊，以提高電能轉換效率并降低熱損失。
- **工業電源**：該 MOSFET 適用于工業電源模塊，包括不間斷電源（UPS）系統和高效開關電源（SMPS），提供高效的電力管理和轉換。
- **服務器電源**：在數據中心和服務器電源管理中，915310E-VB 可用于高效的 DC-DC 轉換器，提高整體系統的能效并降低熱量產生。
### 91560E-VB MOSFET
#### 一、產品簡介
91560E-VB 是一款單 N 溝道功率 MOSFET，采用 SOT669 封裝。該器件具有 60V 的漏源電壓（VDS），最大柵源電壓（VGS）為 ±20V，閾值電壓（Vth）在 1~3V 之間。91560E-VB 采用了先進的溝槽技術，具有極低的導通電阻（RDS(ON)），在 VGS=4.5V 時為 7.8mΩ，在 VGS=10V 時為 6.2mΩ。這使得它能夠在中高電流應用中提供高效能，最大連續漏極電流（ID）為 64A。
#### 二、詳細參數說明
- **封裝類型**：SOT669
- **配置**：單 N 溝道
- **漏源電壓（VDS）**：60V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1~3V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- VGS=4.5V 時：7.8mΩ
- VGS=10V 時：6.2mΩ
- **最大連續漏極電流（ID）**：64A
- **技術類型**：溝槽技術
#### 三、適用領域和模塊舉例
91560E-VB 的特性使其適用于中高電流的電源管理和功率轉換應用。具體領域包括：
- **消費電子設備**：該 MOSFET 可用于消費電子設備中的電源管理，如筆記本電腦、智能手機和平板電腦，提高設備的電源效率。
- **電動工具**：在電動工具的電源模塊中，91560E-VB 能夠提供高效的電流管理和低損耗，延長電池壽命和提高工具性能。
- **家電**：該 MOSFET 適用于家電中的電源轉換模塊，如空調、洗衣機和冰箱，提升能效并降低能耗。
- **通信設備**：在通信基站和網絡設備中，91560E-VB 可用于電源模塊，確保設備的穩定運行和高效能。
