### 926AE-VB MOSFET

#### 一、產品簡介
926AE-VB 是一款具有雙N溝道共源極配置的MOSFET，采用先進的Trench技術制造。該器件設計緊湊，封裝為TSSOP8，適合在空間有限的電路板設計中使用。它具有低導通電阻和適中的漏源電壓，非常適合要求較低功耗和中等電流處理能力的應用場合。

#### 二、詳細的參數說明

- **型號**: 926AE-VB
- **封裝**: TSSOP8
- **配置**: 雙N溝道共源極
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 32mΩ @ VGS=2.5V
 - 22mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 6.6A
- **技術**: Trench

#### 三、應用領域和模塊實例

926AE-VB MOSFET 由于其雙N溝道共源極配置和適中的電特性，適用于多個領域和模塊：

1. **電源管理**：在低功耗的電源管理系統中，如便攜設備、無線傳感器網絡（WSN）節點和移動設備，提供高效能轉換和電池壽命延長的功能。
  
2. **音頻放大**：在音頻放大器的輸出級驅動中，可以用于提供低失真、高效率的音頻輸出，適用于便攜式音響和耳機放大器。

3. **消費電子**：適用于小型家電、電動工具和LED照明驅動，提供可靠的電源開關和電流控制。

4. **工業自動化**：在傳感器接口、電動執行器和工業控制系統中，用于高速開關和電流控制，確保設備的穩定性和效率。

926AE-VB 結合了小型封裝和優良的電性能，使其成為多種現代電子設備和系統中的理想選擇，特別是在空間和功耗有限的應用場景下表現突出。