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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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9922GEO-VB一款Common Drain-N+N溝道TSSOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 9922GEO-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TSSOP8
  • 溝道 Common Drain-N+N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、產品簡介

**產品型號:** 9922GEO-VB  
**封裝形式:** TSSOP8  
**配置:** 共漏極N+N溝道MOSFET  
**技術:** Trench技術

9922GEO-VB是一款采用Trench技術的共漏極N+N溝道MOSFET,設計用于需要高效能和可靠性的電源管理和開關控制應用。

### 二、詳細參數說明

- **VDS(漏源極電壓):** 30V
- **VGS(柵源極電壓):** ±20V
- **Vth(閾值電壓):** 1.7V
- **RDS(ON)(導通電阻):**
 - 19mΩ @ VGS = 4.5V
 - 12mΩ @ VGS = 10V
- **ID(漏極電流):** 8.6A

### 三、應用領域及模塊舉例

9922GEO-VB適用于多種功率管理和開關控制領域,具體應用包括但不限于:

- **電源管理和供電系統:** 在DC-DC轉換器、穩壓器和開關電源中,用于提升能源轉換效率和電源穩定性。
- **電動工具和家電:** 作為電動工具電機控制和家用電器的電源管理部件,提高設備的功率密度和能效。
- **車載電子:** 用于車輛電子系統中的電池管理、電動汽車充電系統和電動驅動控制。
- **工業自動化:** 在工業機器人、自動化設備和電力工具中,用于高性能電動驅動和精確控制。

綜上所述,9922GEO-VB因其低導通電阻、高電流承載能力和廣泛的應用領域,是功率管理和開關控制系統中的理想選擇,能夠提升系統的效率和性能。

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