--- 產品參數 ---
- 封裝 TSSOP8
- 溝道 Dual-P+P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 9923GEO-VB 產品簡介詳細
9923GEO-VB 是一款雙 P+N 溝道場效應管,采用 Trench 技術制造。它具有負20V的漏極-源極電壓(VDS),適用于雙極性操作,并且具有低導通電阻和良好的性能特性。
### 9923GEO-VB 詳細參數說明
- **包裝(Package):** TSSOP8
- **結構配置(Configuration):** 雙 P+N 溝道(Dual-P+P-Channel)
- **漏極-源極電壓(VDS):** -20V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** -1.2V
- **導通電阻(RDS(ON)):**
- 18mΩ @ VGS=4.5V
- 13mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID):** -7.5A
- **技術制程(Technology):** Trench
### 適用領域和模塊示例
9923GEO-VB 適用于以下領域和模塊的應用:
1. **電源管理:** 在雙極性電源管理電路中,例如筆記本電腦和移動設備的電源管理單元。
2. **電動工具:** 用于控制電動工具中電機的開關和驅動電路,以實現高效能和可靠性。
3. **充電保護:** 作為充電器和電池充電管理系統中的保護開關,確保充電過程中的安全和效率。
4. **汽車電子:** 在汽車電子系統中,例如電動車的電動機控制和電池管理系統。
9923GEO-VB 的雙極性設計使其在需要同時處理正負電壓信號的電路中非常有用,同時其低導通電阻和高電流承載能力確保了優越的性能表現。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N