--- 產品參數 ---
- 封裝 DIP8
- 溝道 Dual-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 9962AGD-VB MOSFET 產品簡介
9962AGD-VB是一款雙N溝道MOSFET,采用Trench技術,封裝為DIP8。具有低導通電阻和適中的電流容量,適合于需要雙通道控制的電路設計,能夠提供穩定和高效的電流控制。
### 9962AGD-VB MOSFET 詳細參數說明
- **封裝類型**: DIP8
- **配置**: 雙N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1~3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS = 4.5V
- 15mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 9.5A
- **技術**: Trench
### 9962AGD-VB MOSFET 應用領域和模塊示例
9962AGD-VB適用于多種需要雙通道控制的領域和模塊。以下是一些應用示例:
1. **電源管理**:
- **開關電源**: 在開關電源和DC-DC轉換器中,用于高效能的功率轉換和穩定的電流輸出。
2. **電動工具**:
- **電機驅動**: 在電動工具和家用電器的電機驅動電路中,提供可靠的電機控制和功率管理。
3. **汽車電子**:
- **電動汽車控制**: 在電動汽車的電動驅動系統中,用于電動機控制和能量回饋管理,支持高效能的動力輸出和電池管理。
9962AGD-VB MOSFET通過其雙N溝道設計和優越的導通特性,適合于需要高效能轉換和精確控制的電子設備和系統設計。
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