--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DIP8
- 溝道 Dual-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
9971GD-VB是一款雙N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造,封裝形式為DIP8。這款MOSFET在60V的漏源電壓(VDS)下運(yùn)行,柵源電壓(VGS)最大可達(dá)±20V。其具有低導(dǎo)通電阻特性,在VGS=4.5V時(shí),RDS(ON)為45.6mΩ;在VGS=10V時(shí),RDS(ON)為38mΩ,能夠提供高效的電流傳輸和低損耗。其額定漏極電流(ID)為6A,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝形式(Package)**: DIP8
- **配置(Configuration)**: 雙N溝道(Dual-N-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**: 60V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1~3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 45.6mΩ @ VGS = 4.5V
- 38mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: 6A
- **技術(shù)(Technology)**: Trench
### 適用領(lǐng)域和模塊
9971GD-VB MOSFET適用于各種需要高效電流控制的電子設(shè)備和電路模塊。以下是幾個(gè)具體應(yīng)用示例:
1. **電源管理系統(tǒng)**:
- 在開關(guān)電源(SMPS)中,9971GD-VB可用于初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的開關(guān)控制,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出。
- 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,用于實(shí)現(xiàn)電壓調(diào)節(jié)和電能傳輸,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:
- 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,9971GD-VB可用于控制電機(jī)的啟動(dòng)、停止和速度調(diào)節(jié),提供精確的電流控制和低損耗。
- 在步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,提供高效的電流控制,提高電機(jī)的響應(yīng)速度和工作效率。
3. **負(fù)載開關(guān)**:
- 作為負(fù)載開關(guān),9971GD-VB可用于控制大功率設(shè)備的開關(guān),如LED照明系統(tǒng)、電加熱器等,提供高效的電流傳輸和可靠的開關(guān)功能。
- 在智能家居設(shè)備中,控制各種家電的電源開關(guān),實(shí)現(xiàn)智能化管理。
4. **保護(hù)電路**:
- 在過(guò)流保護(hù)電路中,9971GD-VB可用于快速切斷電流,保護(hù)設(shè)備免受過(guò)流損害。
- 在電池管理系統(tǒng)中,提供過(guò)充、過(guò)放保護(hù)功能,延長(zhǎng)電池壽命。
9971GD-VB憑借其優(yōu)異的電性能和可靠性,廣泛應(yīng)用于需要高效電流控制和低損耗的各類電子設(shè)備和電路模塊中,是工程師們實(shí)現(xiàn)高效電能管理和可靠電流控制的理想選擇。
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