--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**9971GI-VB** 是一款由 VBsemi 制造的單 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),采用 TO220F 封裝。該型號的 MOSFET 具有 60V 的漏源電壓(VDS)和 45A 的漏極電流(ID),采用了先進的 Trench 技術。這款 MOSFET 設計用于高效能和低導通電阻應用,具有出色的電氣性能,適用于各種電源管理和開關應用。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:27mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:45A
- **技術**:Trench
### 應用領域和模塊
**9971GI-VB** MOSFET 在以下領域和模塊中有廣泛的應用:
1. **電源管理**:由于其低導通電阻和高電流承載能力,9971GI-VB 非常適用于開關電源(SMPS)、DC-DC 轉換器和電池管理系統(BMS)。它能夠高效地處理大電流,減少功率損耗,提高整體系統效率。
2. **電機控制**:在電機控制應用中,該 MOSFET 可用于驅動電機,特別是在需要高功率和快速開關的場景中。其高漏極電流和低導通電阻特性使其成為電動工具和電動車輛(EV)控制器中的理想選擇。
3. **工業自動化**:9971GI-VB 在工業自動化系統中用于控制和驅動各種負載,如機器人和自動化生產線中的執行器和傳感器。其耐高壓特性和可靠性能確保在苛刻環境中的穩定運行。
4. **消費電子產品**:在消費電子領域,該 MOSFET 可用于電視、計算機和音響設備中的電源和放大器模塊。其高效能和小體積封裝使其適合用于緊湊設計的消費電子產品。
5. **太陽能逆變器**:在太陽能光伏系統中,9971GI-VB MOSFET 用于逆變器模塊,負責將直流電轉換為交流電。其高效率和低導通損耗能夠提高太陽能系統的整體效率。
通過上述這些應用實例,可以看出 9971GI-VB 是一款多用途、高性能的 MOSFET,能夠在多種電子設備和系統中發揮關鍵作用。
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