### 產品簡介
9N60M2-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Plannar技術制造，封裝形式為TO220F。這款MOSFET在高達650V的漏源電壓（VDS）下運行，柵源電壓（VGS）最大可達±30V。具有較高的閾值電壓（Vth=3.5V）和相對較高的導通電阻，適合中功率應用。
### 詳細參數說明
- **封裝形式（Package）**: TO220F
- **配置（Configuration）**: 單N溝道（Single-N-Channel）
- **漏源電壓（VDS）**: 650V
- **柵源電壓（VGS）**: ±30V
- **閾值電壓（Vth）**: 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**:
- 830mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 10A
- **技術（Technology）**: Plannar
### 適用領域和模塊
9N60M2-VB MOSFET適用于多種中功率電子設備和電路模塊，以下是幾個具體應用示例：
1. **電源轉換器**：
- 在開關電源和DC-DC轉換器中，9N60M2-VB用于高壓轉換和電能轉換效率的提升，例如工業電源和服務器電源單元。
2. **電動車充電樁**：
- 作為電動車充電樁中的開關管，用于電池充電管理和電網交互連接，確保充電效率和電池安全。
3. **工業驅動器**：
- 在工業驅動器和電機控制系統中，9N60M2-VB用于驅動高壓電機和執行器，提供穩定的功率輸出和快速的響應速度。
4. **電源管理**：
- 在工業自動化系統中，如PLC控制器和機器人控制系統中，用于電機驅動和設備執行器的精確控制。
5. **照明應用**：
- 作為照明系統中的開關管，控制LED驅動電路的功率輸出和亮度調節，提供穩定的照明效果和長壽命。
9N60M2-VB具有高漏源電壓、適中的導通電阻和穩定的性能特性，適合需要高電壓和中功率處理能力的各類工業和消費電子應用場景。
