### 產品簡介

**9N60M2-VB** 是一款由 VBsemi 公司生產的單 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），采用 TO252 封裝。該型號的 MOSFET 具有 650V 的漏源電壓（VDS）和最大 7A 的漏極電流（ID），采用 SJ_Multi-EPI 技術，適用于中等功率應用。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO252
- **配置**：單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：700mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**：7A
- **技術**：SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊

**9N60M2-VB** MOSFET 可以在以下領域和模塊中得到應用：

1. **電源轉換器和逆變器**：適用于中等功率的開關模式電源（SMPS）、逆變器和直流-交流轉換器。例如，可用于工業電源系統中的高頻開關電源、UPS系統以及太陽能和風能逆變器。

2. **電動車充電器**：在電動車輛（EV）和混合動力車輛（HEV）的充電器中，9N60M2-VB 可以用作功率開關和電源管理器件，支持高效的電能轉換和快速充電功能。

3. **工業控制系統**：適用于工業自動化和控制系統中的電機驅動、電源開關和傳感器接口。能夠提供穩定的電流和功率輸出，確保設備的高效運行。

4. **醫療設備**：在需要可靠性高、電源穩定的醫療設備中，例如醫用圖像設備、電子治療設備和實驗室分析儀器，9N60M2-VB 可以用作關鍵的電源管理組件。

5. **消費電子產品**：在家用電器如空調、冰箱和洗衣機等的功率開關電路中，9N60M2-VB 可以提供穩定的電源管理和高效的能量控制，延長設備的使用壽命和節能效果。

綜上所述，9N60M2-VB 是一款適用于中等功率應用的高性能 MOSFET，具有廣泛的工業和消費電子應用潛力。