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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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9N80L-TF1-T-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 9N80L-TF1-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO220F
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 9N80L-TF1-T-VB MOSFET 產品簡介

#### 產品簡介
9N80L-TF1-T-VB 是一款單N溝道功率MOSFET,適用于高壓應用,具備850V的漏源極電壓額定值。該型號采用TO220F封裝,適合于要求高可靠性和穩定性的功率控制電路設計。

#### 產品參數
- **型號**: 9N80L-TF1-T-VB
- **封裝**: TO220F
- **類型**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 850V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1150mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術**: Plannar

#### 應用領域及模塊
1. **電源逆變器和電動車充電器**:
  9N80L-TF1-T-VB 可用于高壓電源逆變器和電動車充電系統中,支持高電壓和低功率損耗的要求。其高電壓承載能力和穩定的導通特性,能夠確保系統在各種負載條件下的可靠性和效率。

2. **工業電源供應**:
  在工業電源供應和高壓電源管理系統中,這款MOSFET可用于開關電源和高壓直流電源系統。其高阻抗和低導通電阻特性,有助于提高電源轉換效率和穩定性。

3. **太陽能逆變器**:
  由于9N80L-TF1-T-VB 具備高電壓和良好的熱穩定性,因此適用于太陽能逆變器系統。它能夠處理太陽能板產生的高電壓并確保穩定的電力轉換,從而提高太陽能系統的整體效率和可靠性。

4. **醫療設備**:
  在需要高壓和穩定電源的醫療設備中,9N80L-TF1-T-VB 可作為電源管理和控制的關鍵部件。其高閾值電壓和低導通電阻,有助于確保醫療設備的安全運行和穩定性。

綜上所述,9N80L-TF1-T-VB 是一款適用于高壓、高可靠性要求的功率MOSFET,適合于工業、電動車輛、太陽能和醫療等領域的各種高壓功率控制和電源管理應用。

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