### 9NM40N-VB MOSFET 產品簡介

9NM40N-VB 是一款單 N 通道 MOSFET，采用 TO220 封裝。它支持高達 500V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS)，閾值電壓 (Vth) 為 3.1V。采用了平面結構 (Plannar) 技術，該 MOSFET 在 VGS = 10V 時的導通電阻 (RDS(ON)) 為 660mΩ，最大漏極電流 (ID) 為 13A。這使得它適用于需要中高電壓和適中電流的功率控制和開關應用。

### 9NM40N-VB MOSFET 詳細參數說明

- **型號**: 9NM40N-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 500V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.1V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 660mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術**: 平面結構 (Plannar)

### 應用領域和模塊示例

1. **電源開關**:
  9NM40N-VB 可用于中高壓的電源開關和電源管理模塊，如開關電源和逆變器。其能夠處理高達 500V 的電壓，并提供穩定的電力輸出和高效能的能量轉換。

2. **工業控制**:
  在工業自動化和控制系統中，該型號的 MOSFET 可用作電機驅動器和電流控制器。其高電壓承受能力和穩定性能確保了工業設備在復雜環境中的可靠運行。

3. **電動車輛充電器**:
  在電動車充電系統中，9NM40N-VB 可用于直流充電樁的電源開關和電流調節器。其高電壓和中等導通電阻使其在電動車輛充電系統中表現良好。

4. **UPS 電源**:
  在不間斷電源 (UPS) 系統中，該型號的 MOSFET 可用于電池管理和電源開關，確保設備在電網故障時的持續供電和系統穩定性。

通過以上示例可以看出，9NM40N-VB MOSFET 在多個領域中都有廣泛的應用，特別適合需要處理中高電壓和適中電流的功率控制和開關應用場景。