### 產品簡介

9NM60N-VB是一款高壓單N溝道MOSFET，采用TO251封裝。該器件設計優化了功率密度和性能，適用于需要高電壓承受能力和可靠性的電子應用。

### 產品參數

- **封裝類型**: TO251
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 700mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 適用領域和模塊

9NM60N-VB MOSFET由于其高電壓承受能力和適中的導通電阻特性，適用于以下領域和模塊：

1. **電源逆變器**：在工業和農業領域的電源逆變器中，特別是需要處理中等電壓和高功率的場合，該MOSFET能夠提供穩定的開關性能和高效的電能轉換。

2. **電動汽車充電樁**：作為電動汽車充電樁的開關元件，能夠處理高電壓輸入和穩定的電流輸出，確保充電過程的安全和高效。

3. **太陽能逆變器**：用于太陽能發電系統的逆變器模塊中，該MOSFET能夠處理太陽能板輸出的中等電壓和變化頻率，轉換為穩定的交流電能。

4. **工業電力設備**：如工業電機驅動器、UPS系統等需要穩定電壓轉換和高效能管理的設備中，9NM60N-VB能夠提供可靠的性能和長期穩定運行。

5. **電力管理系統**：在電力分配和管理系統中，9NM60N-VB能夠承受高電壓并提供可靠的電力轉換和保護功能，用于變頻器、電力傳輸和分配設備等。

綜上所述，9NM60N-VB MOSFET適用于多種需要處理中等到高電壓的高功率電子應用，能夠提供穩定可靠的性能并確保系統的安全運行。