### 產品簡介
9R1K0C-VB是一款單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術制造，封裝形式為TO247。這款MOSFET具有高達900V的漏源電壓（VDS）能力，柵源電壓（VGS）最大可達±30V。具有較高的閾值電壓（Vth=3.5V）和相對較低的導通電阻，適合中功率應用場合。
### 詳細參數說明
- **封裝形式（Package）**: TO247
- **配置（Configuration）**: 單N溝道（Single-N-Channel）
- **漏源電壓（VDS）**: 900V
- **柵源電壓（VGS）**: ±30V
- **閾值電壓（Vth）**: 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**:
- 750mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 9A
- **技術（Technology）**: SJ_Multi-EPI
### 適用領域和模塊
9R1K0C-VB MOSFET適用于多種中功率電子設備和電路模塊，以下是幾個具體應用示例：
1. **工業電力電子**：
- 在工業電力電子設備中，如高壓逆變器和電源模塊中，9R1K0C-VB用作開關管，支持高效能轉換和電能控制。
2. **太陽能逆變器**：
- 在太陽能發電系統的逆變器中，9R1K0C-VB用于高壓開關和直流-交流轉換，確保電能的高效轉換和輸出穩定性。
3. **電動車充電設備**：
- 作為電動車充電設備的關鍵元件，用于高壓直流充電樁的開關控制和電池充電管理，確保充電效率和安全性。
4. **工業驅動器**：
- 在工業驅動器和電機控制系統中，用于驅動高壓電機和執行器，提供精確的電力管理和高效的驅動控制。
5. **電源管理**：
- 在需要高效能電源管理的工業自動化設備中，如PLC控制器和服務器電源單元，9R1K0C-VB提供穩定的電力輸出和設備運行所需的高效能支持。
9R1K0C-VB具有高漏源電壓和低導通電阻的特點，適合需要處理高電壓和中功率要求的各類工業和消費電子應用場景。
