### 9R1K2C-VB MOSFET 產品簡介

9R1K2C-VB 是一款單 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封裝。它支持高達 900V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS)，閾值電壓 (Vth) 為 3.5V。采用了 SJ_Multi-EPI 技術，該 MOSFET 在 VGS = 10V 時的導通電阻 (RDS(ON)) 為 770mΩ，最大漏極電流 (ID) 為 7A。這使得它適用于需要高電壓和適中電流的功率控制和開關應用。

### 9R1K2C-VB MOSFET 詳細參數說明

- **型號**: 9R1K2C-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 900V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 770mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊示例

1. **電源轉換器**:
  9R1K2C-VB 可用于高壓電源轉換器，如開關電源和逆變器。其能夠處理高達 900V 的電壓，并提供穩定的電力輸出和高效能的能量轉換，適用于工業和電力系統中的電源管理單元。

2. **電動車充電器**:
  在電動車充電系統中，該型號的 MOSFET 可用作高壓直流充電樁的電源開關和電流控制器。其高電壓承受能力和穩定性能確保了電動車輛充電過程中的安全和高效率。

3. **工業電機驅動**:
  在工業自動化和控制系統中，9R1K2C-VB 可用作電機驅動器和電流控制單元，特別是需要高電壓和適中電流的應用場景。其能夠提供可靠的電機控制和功率開關功能。

4. **電力逆變器**:
  在可再生能源系統和電力逆變器中，該型號的 MOSFET 可用于轉換直流電能為交流電能，確保系統的穩定性和高效能轉換。

通過以上示例可以看出，9R1K2C-VB MOSFET 在多個領域中都具有廣泛的應用，特別適合需要處理高壓和適中電流的功率控制和開關應用場景。