### 產品簡介詳
**9R1K2C-VB MOSFET**
9R1K2C-VB是一款高壓單N溝道MOSFET，采用TO-247封裝，適用于需要高電壓耐受和中等電流處理能力的應用場合。采用SJ_Multi-EPI（多重外延技術），結合了高電壓特性和低導通電阻，為電源管理和開關電路提供穩定性和高效率。
### 詳細的參數說明
- **封裝類型**: TO-247
- **晶體管配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 900V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 750mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 9A
- **技術類型**: SJ_Multi-EPI（多重外延技術）
### 應用領域和模塊舉例
**工業高壓電源**:
9R1K2C-VB適合用作工業高壓電源中的開關元件，能夠在高壓和高電流的環境下穩定工作，例如工業驅動器和高壓電動機控制系統。
**電網逆變器**:
在電力電子設備中，特別是電網逆變器系統中，9R1K2C-VB的高電壓耐受和低導通電阻特性使其成為轉換電力和提供穩定電壓的重要組成部分。
**醫療設備**:
在需要高效能和穩定性能的醫療設備中，例如高壓X射線發生器和核磁共振設備中，9R1K2C-VB可以提供可靠的功率開關控制，確保設備運行的穩定性和安全性。
**電動車充電設施**:
在電動車充電設施中，特別是需要高功率充電和快速充電的場合，9R1K2C-VB能夠承受高壓和高電流，提供可靠的電源開關和電流控制。
綜上所述，9R1K2C-VB MOSFET因其高壓耐受和優異的導通特性，在多種高壓電源管理和開關控制應用中都能發揮關鍵作用，為各種領域的電子設備和系統提供可靠的功率解決方案。
