### 產品簡介

9T18GEH-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Trench技術制造，封裝形式為TO252。該MOSFET具有低壓降和高電流承載能力，適合中高功率應用場合。

### 詳細參數說明

- **封裝形式（Package）**: TO252
- **配置（Configuration）**: 單N溝道（Single-N-Channel）
- **漏源電壓（VDS）**: 30V
- **柵源電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**:
 - 9mΩ @ VGS = 4.5V
 - 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 70A
- **技術（Technology）**: Trench

### 適用領域和模塊

9T18GEH-VB MOSFET適用于多種高電流、低壓降要求的電子設備和電路模塊，以下是幾個具體應用示例：

1. **電機驅動器**：
  - 在電動車和電動工具的電機驅動系統中，9T18GEH-VB用作電機控制的開關管，提供高效能的電能轉換和電機驅動。

2. **電源模塊**：
  - 在低壓降要求的電源模塊中，如電信設備和計算機服務器的電源管理單元，用于穩定的電壓調節和高效的能量轉換。

3. **電動工具**：
  - 在需要高功率輸出的電動工具中，如電動鋰電池工具和工業自動化設備的動力單元，確保設備的高效能運行和持久耐用。

4. **電動汽車充電設備**：
  - 作為電動汽車充電樁中的關鍵元件，用于電池充電管理和充電功率控制，確保充電效率和電池壽命的安全性。

5. **高性能電子開關**：
  - 在需要快速開關和高頻率操作的電子系統中，9T18GEH-VB用于高頻開關電源和功率逆變器，支持設備的高性能和可靠性。

9T18GEH-VB具有優秀的導通特性和高電流承載能力，適合需要處理高功率和高效能要求的各類工業和消費電子應用場景。