### 產品簡介
**AFN2376S23RG-VB** 是由 VBsemi 公司生產的一款單 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），采用 SOT23-3 封裝。該 MOSFET 具有 60V 的漏源電壓（VDS）和最大 5.5A 的漏極電流（ID），采用 Trench 技術，適用于需要高效能和低導通電阻的各種應用。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**：SOT23-3
- **配置**：單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：60V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
- 33mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**：5.5A
- **技術**：Trench
### 應用領域和模塊
**AFN2376S23RG-VB** MOSFET 可以在以下領域和模塊中得到應用：
1. **消費電子產品**：適用于智能手機、平板電腦和筆記本電腦等設備中的電源管理和負載開關，提供高效的電力轉換和電流控制功能。
2. **電源適配器和充電器**：在各種電源適配器和充電器中作為高效的功率開關，確保充電過程的高效能和穩定性。
3. **汽車電子**：用于汽車電子系統中的電源管理和電流控制，例如車燈控制、車身控制模塊和娛樂系統。
4. **工業控制**：在工業自動化和控制系統中，用于電源管理和負載開關控制，支持工業設備的高效能運行和穩定性。
5. **LED 驅動器**：適用于 LED 驅動器和照明系統中的電源開關和電流控制，提供高效的能量轉換和照明控制功能。
綜上所述，AFN2376S23RG-VB 是一款適用于多種高效能和低導通電阻要求的單 N 溝道 MOSFET，廣泛應用于消費電子、汽車電子、工業控制和 LED 驅動等領域。
