--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**AFN4210WS8RG-VB** 是一款雙 N 溝道和雙 P 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),采用 SOP8 封裝。它由 VBsemi 公司生產,采用 Trench 技術,適用于需要高效能和低導通電阻的電路設計。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙 N+N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 26mΩ @ VGS = 4.5V
- 22mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:
- N 溝道:6.8A @ VGS = 4.5V
- P 溝道:6.0A @ VGS = -4.5V
- **技術**:Trench
### 應用領域和模塊
AFN4210WS8RG-VB MOSFET 可以在以下領域和模塊中得到應用:
1. **電源管理**:適用于各種電源管理電路,如開關電源、DC-DC 轉換器和電池管理系統中的功率開關。
2. **電機驅動**:用于電機控制和驅動電路,如直流電機驅動器、步進電機控制器和電動工具。
3. **電動車輛**:在電動車輛的電池管理系統和驅動電機控制中,提供高效能和穩定的功率開關功能。
4. **LED 驅動器**:適用于高亮度 LED 燈具和照明系統中的電源開關和電流控制,支持 LED 的高效能和長壽命運行。
5. **工業自動化**:用于工業控制系統的電源管理和負載開關控制,確保設備的高效運行和可靠性。
綜上所述,AFN4210WS8RG-VB 是一款適用于多種電源管理和電流控制應用的雙 N+N 溝道 MOSFET,特別適合需要高效能和低導通電阻的電路設計。
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