--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Dual-P+P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AM3829P-T1-PF-VB 產品簡介
AM3829P-T1-PF-VB 是一款雙P溝道MOSFET,采用SOT23-6封裝技術。該器件設計用于功率管理和電源開關應用,結合了P溝道和N溝道MOSFET的優勢,適合要求高效率和空間緊湊設計的電子系統。
### AM3829P-T1-PF-VB 詳細參數說明
- **封裝**:SOT23-6
- **配置**:雙P+P溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:-20V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-0.6V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 90mΩ @ VGS = 2.5V
- 65mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**:-4A
- **技術**:溝槽(Trench)
### 應用領域和模塊實例
#### 電源管理
AM3829P-T1-PF-VB 在電源管理領域中發揮重要作用,特別適合用于低壓電源和電池管理系統中的功率開關和逆變器。其雙P溝道設計結合了高效能和緊湊封裝,適用于需要高效率和小型化設計的應用場景。
#### 電池保護和管理
該MOSFET可用于電池保護電路和充放電管理系統,以確保電池的安全性和長壽命。其低導通電阻和高電流承載能力使其成為電池保護模塊中的理想選擇,可以有效地管理電池的充電和放電過程。
#### 載波通信設備
在無線通信和載波設備中,AM3829P-T1-PF-VB 可用于功率放大器和射頻開關。其快速開關特性和低壓降有助于減少能量損耗,并提升設備的傳輸效率和信號質量。
#### 可穿戴設備
對于小型和便攜式電子設備,如智能手表和健康追蹤器,該MOSFET可用于電源管理和電路控制。其緊湊的封裝和低功耗特性有助于延長電池壽命,并優化設備的性能和用戶體驗。
通過以上應用實例,AM3829P-T1-PF-VB 展示了其在多個領域中的廣泛應用和優越性能,為各種電子系統的設計提供了靈活和高效的解決方案。
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