--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、AM4920M8R-VB 產品簡介
AM4920M8R-VB是一款先進的雙N+N-溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),采用SOP8封裝。它具有高性能的雙溝道設計,適用于要求高效能和高可靠性的電路應用。AM4920M8R-VB采用了Trench技術,能夠在較低的柵極驅動電壓下提供低導通電阻和優異的開關特性。
### 二、AM4920M8R-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙N+N-溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 10mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:13.5A
- **技術類型**:Trench
### 三、適用領域和模塊舉例
AM4920M8R-VB MOSFET適用于多種領域和模塊,具體應用包括:
1. **電源管理模塊**:由于其高漏源電壓和低導通電阻特性,AM4920M8R-VB適合用于高效率的DC-DC轉換器和穩壓器設計。這些模塊需要能夠處理高電流和提供穩定的電源輸出。
2. **電動車輛充電管理**:在電動車充電管理系統中,AM4920M8R-VB可以作為充電器和電池管理單元中的開關器件。其高電流處理能力和低導通電阻有助于提高充電效率和減少能量損失。
3. **工業自動化控制**:在工業控制系統中,AM4920M8R-VB可用于電機驅動器和高電流負載的開關控制。其穩定的開關特性確保了設備的可靠運行和長期性能。
4. **筆記本電腦和平板電腦電源管理**:在便攜式電子設備中,AM4920M8R-VB可以用于電池管理和電源管理模塊,幫助延長電池壽命并提升系統效率。
通過這些應用例子可以看出,AM4920M8R-VB是一款高性能、多功能的MOSFET,適用于需要高電流處理和低功耗設計的多種電子和電氣領域。
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