--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
AOB418-VB 是一款單 N-Channel MOSFET,采用 TO263 封裝。它具有低導通電阻和高漏極電流承載能力,適合需要高效能和高功率密度的電子應用。
### 詳細參數說明
| 參數 | 數值 |
|---------------------|-----------------------------------|
| **封裝** | TO263 |
| **配置** | 單 N-Channel |
| **漏源電壓 (VDS)** | 30V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.7V |
| **導通電阻 (RDS(ON))**| 2.7mΩ @ VGS=4.5V;2.4mΩ @ VGS=10V |
| **連續漏極電流 (ID)**| 98A |
| **技術** | 溝槽技術 |
### 適用領域和模塊示例
AOB418-VB MOSFET 可以應用于以下領域和模塊:
1. **電源管理**:在需要高效率和高功率密度的電源管理系統中,AOB418-VB 可用作開關電源和電流控制器,提供低損耗的電能轉換和穩定的電流管理。
2. **電動車輛**:作為電動車輛中的電池管理和電機驅動器件,AOB418-VB 提供高漏極電流承載能力和低導通電阻,適用于電動汽車的動力傳輸和電池管理。
3. **工業自動化**:在工業控制和自動化系統中,AOB418-VB 可用作高電流開關和電源管理器件,確保設備的高效運行和長期可靠性。
4. **電源逆變器**:適用于太陽能逆變器和電力轉換器中,AOB418-VB 提供高效的能量轉換和穩定的電能輸出,確保太陽能發電系統和UPS電源系統的可靠運行。
AOB418-VB 的設計特性使其成為高功率和高效率電子系統中的理想選擇,能夠滿足多種應用領域對電能管理和功率控制的需求。
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