### 產品簡介

**BSZ035N03MS G-VB** 是一款高性能單通道 N 型 MOSFET，封裝形式為 DFN8(3x3)。該器件設計用于低電壓和高電流應用，最大漏極電流為 60A，漏極-源極耐壓為 30V。具有非常低的 RDS(ON)（3.9mΩ @ VGS=10V），能夠提供優異的開關性能和高效能。其閾值電壓為 1.7V，柵極-源極耐壓為 ±20V，采用溝道工藝（Trench），適合各種高效能開關應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: BSZ035N03MS G-VB
- **封裝**: DFN8(3x3)
- **配置**: 單通道 N 型 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 5mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 3.9mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 60A
- **技術**: 溝道工藝 (Trench)

### 應用領域和模塊

**BSZ035N03MS G-VB** 在以下領域和模塊中具有優異的應用潛力：

1. **電源管理**：在高功率 DC-DC 轉換器和電源模塊中提供高效的開關控制，適用于計算機電源、電池管理系統等。
2. **電機驅動**：應用于高電流電機驅動系統，如電動汽車和電動工具，能夠處理大電流并保持低功耗。
3. **LED 驅動**：在高功率 LED 驅動電路中使用，支持高效的開關控制和低功耗運行，適合高亮度照明應用。
4. **汽車電子**：用于汽車電源管理和負載開關系統，如電動座椅、電動窗戶調節系統和電動門鎖。
5. **功率放大器**：適用于高功率射頻和音頻功率放大器電路，提供穩定的開關性能和高效能。