--- 產品參數 ---
- 封裝 DFN8(5X6)
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、AON6450-VB產品簡介
AON6450-VB是一款單N溝道MOSFET,采用DFN8(5X6)封裝,設計用于高壓應用。該器件具有100V的漏源電壓(VDS)、±20V的柵源電壓(VGS)和2.5V的閾值電壓(Vth)。在VGS為10V時,其導通電阻為9mΩ,支持最大65A的漏極電流(ID)。采用Trench技術制造,具備良好的導通特性和熱穩定性,適用于要求高可靠性和高效能的電子系統。
### 二、AON6450-VB詳細參數說明
- **封裝類型**:DFN8(5X6)
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:100V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:2.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:9mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:65A
- **技術**:Trench
### 三、應用領域和模塊示例
AON6450-VB MOSFET適用于多種高壓和高電流應用領域:
1. **電源轉換器**:
- **DC-DC轉換器**:用于工業和通信設備中的電源轉換和電池管理。
- **電源逆變器**:在太陽能逆變器和電動車充電系統中,用于高效的電能轉換。
2. **電動工具**:
- **電動汽車充電器**:支持快速充電和高功率密度的電池充電管理系統。
3. **工業應用**:
- **工業自動化**:用于高電壓驅動和功率控制,如電機驅動和工業設備控制。
- **電力電子**:在變頻器和工業電子設備中,用于高效率的電能管理和功率轉換。
4. **汽車電子**:
- **電動汽車驅動**:用于電動汽車的電機控制和功率逆變器。
AON6450-VB MOSFET因其高電壓耐受能力、低導通電阻和高漏極電流能力,特別適用于需要高電壓和高電流應用環境中,要求高效率和可靠性的電子和電源管理系統。
為你推薦
-
BSZ042N04NS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 14:59
產品型號:BSZ042N04NS G-VB 封裝:DFN8(3X3) 溝道:Single-N -
BSZ040N04LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 14:57
產品型號:BSZ040N04LS G-VB 封裝:DFN8(3X3) 溝道:Single-N -
BSZ035N03MS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 14:56
產品型號:BSZ035N03MS G-VB 封裝:DFN8(3X3) 溝道:Single-N -
BSZ035N03LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 14:54
產品型號:BSZ035N03LS G-VB 封裝:DFN8(3X3) 溝道:Single-N -
BSZ019N03LS-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 14:53
產品型號:BSZ019N03LS-VB 封裝:DFN8(3X3) 溝道:Single-N -
BST82-VB一款Single-N溝道SOT23-3的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 14:50
產品型號:BST82-VB 封裝:SOT23-3 溝道:Single-N -
BSS87-VB一款Single-N溝道SOT89的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 14:46
產品型號:BSS87-VB 封裝:SOT89 溝道:Single-N -
BSS84W-7-F-VB一款Single-P溝道SC70-3的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 14:45
產品型號:BSS84W-7-F-VB 封裝:SC70-3 溝道:Single-P -
BSS84PW-VB一款Single-P溝道SC70-3的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 14:43
產品型號:BSS84PW-VB 封裝:SC70-3 溝道:Single-P -
BSS84AKW-VB一款Single-P溝道SC70-3的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 14:42
產品型號:BSS84AKW-VB 封裝:SC70-3 溝道:Single-P