### AOTF11N70-VB 產品簡介

**型號：** AOTF11N70-VB  
**封裝：** TO220F  
**配置：** 單N溝道MOSFET  
**技術：** SJ_Multi-EPI

AOTF11N70-VB 是一款采用SJ_Multi-EPI技術設計的單N溝道MOSFET，具有高電壓承受能力和穩定的性能特性。其TO220F封裝適合于高功率應用，提供了優良的熱管理和電路集成能力。

### 詳細參數說明

- **漏極-源極電壓（VDS）：** 700V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 750mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）：** 7A
- **技術：** SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊舉例

1. **電源轉換器：** AOTF11N70-VB適用于電源轉換器中的高壓開關應用，例如用于工業設備和電力電子應用中的開關電源單元（SMPS），能夠提供可靠的電力轉換和穩定的電源輸出。

2. **電動車充電樁：** 在電動車充電樁中，AOTF11N70-VB可用作高壓開關管，用于控制和轉換電動車輛充電樁所需的高電壓直流電源，確保充電效率和安全性。

3. **太陽能逆變器：** 該MOSFET適用于太陽能逆變器，幫助將太陽能板產生的直流電轉換為交流電，其高電壓承受能力和低導通電阻有助于提升逆變器的效率和可靠性。

4. **UPS系統：** 不間斷電源（UPS）系統中的關鍵部件，AOTF11N70-VB用于SMPS電源單元，確保UPS在電網故障時的穩定運行和高效能源轉換。

5. **工業自動化設備：** 在工業自動化設備中，特別是需要處理高電壓和電流的電源控制和驅動應用，AOTF11N70-VB提供了可靠的性能和長期穩定性，支持設備的高效運行。

AOTF11N70-VB MOSFET以其高電壓承受能力和穩定的性能特性，在多個領域和應用中均能提供可靠的功率開關解決方案，為各類電子系統的設計和優化提供了重要支持。