--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AOTF4N60L-VB 產品簡介
AOTF4N60L-VB是一款單N溝道MOSFET,采用Plannar技術,封裝為TO220F。具備高達650V的漏源極電壓和4A的連續漏極電流能力,適用于低功率和高電壓要求的應用場合。
### AOTF4N60L-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:650V
- **柵源極電壓(VGS)**:30(±V)
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 2560mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流(ID)**:4A
- **技術類型**:Plannar
### 應用領域和模塊舉例
AOTF4N60L-VB適用于以下領域和模塊,為低功率和高電壓需求提供可靠的解決方案:
1. **電源管理**:
在低功率電源管理領域,如小功率開關電源、逆變器控制等,AOTF4N60L-VB可以作為開關電源的控制器件。盡管其導通電阻較高,但在低功率和高電壓的需求下仍然能夠提供穩定的電力轉換功能。
2. **照明應用**:
在需要高電壓驅動的LED照明系統中,AOTF4N60L-VB可以作為開關裝置,控制LED驅動電路的功率傳輸和電能管理。其高電壓容忍度適合于一些特定的照明設計需求。
3. **電動工具**:
在電動工具的電源管理和控制電路中,AOTF4N60L-VB可以用作電動機驅動和電源開關,確保工具在高電壓環境下的安全和可靠性運行。
盡管AOTF4N60L-VB的功率損耗較高,但其高電壓容忍度和低功率需求使其在特定低功率應用場合仍然具備一定的適用性,為這些應用提供了穩定和可靠的電力管理解決方案。
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