--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AOTF4N90-VB 產品簡介
**型號:** AOTF4N90-VB
**封裝:** TO220F
**配置:** 單N溝道MOSFET
**技術:** 平面技術(Plannar)
AOTF4N90-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用平面技術設計,具有高電壓承受能力和可靠性。其TO220F封裝設計適合于需要處理高電壓的應用,并提供良好的散熱性能。
### 詳細參數說明
- **漏極-源極電壓(VDS):** 950V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±30V
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON)):** 2400mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 6A
- **技術:** 平面技術(Plannar)
### 應用領域和模塊舉例
1. **電源逆變器:** AOTF4N90-VB適用于電源逆變器中的高壓開關電源單元,例如工業用逆變器和太陽能逆變器,能夠處理高電壓直流至交流電的轉換,提升能源利用效率。
2. **電動車充電器:** 在電動車充電器中,AOTF4N90-VB作為高壓開關器件,用于控制和管理充電器的電源轉換,確保充電效率和安全性。
3. **醫療設備電源:** 在醫療設備中,特別是需要處理高壓和高效能量轉換的電源管理模塊中,AOTF4N90-VB能夠提供穩定的電力輸出和可靠的電源控制。
4. **工業高壓電源系統:** 該MOSFET適用于工業高壓電源系統的開關電源單元,如用于工業自動化設備和大型電力設備中的電源管理和控制。
5. **UPS系統:** 在不間斷電源系統中,AOTF4N90-VB可用于高壓開關電源單元,確保UPS在電網故障時能夠提供持續穩定的電力輸出。
AOTF4N90-VB MOSFET通過其高電壓承受能力和優異的性能,在多個領域的高壓功率開關和電源管理應用中發揮著重要作用,為電子系統的設計和性能優化提供了可靠解決方案。
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