--- 產品參數 ---
- 封裝 TO251
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AP9468GJ-VB 產品簡介
AP9468GJ-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用先進的Trench技術,封裝在TO251中。它具有低導通電阻和高電流承載能力,適合要求高功率和高效能的應用場合。
### AP9468GJ-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO251
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 6.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術類型**: Trench
### AP9468GJ-VB 適用領域和模塊
AP9468GJ-VB 的優異特性使其在多種高功率和高效能的應用中具有廣泛的適用性:
1. **電源逆變器**: 在工業用逆變器和太陽能逆變器中,AP9468GJ-VB 可以提供低導通電阻和高電流承載能力,實現高效的電能轉換和穩定的輸出。
2. **電動工具**: 作為電動工具中電機驅動電路的一部分,AP9468GJ-VB 可以提供強大的電流控制和高效的功率傳輸,確保工具的高效能運行。
3. **電動車輛**: 在電動車輛的電池管理系統和電機驅動中,AP9468GJ-VB 可以用于電池充放電管理、驅動控制和高功率負載管理,提供穩定的動力輸出和長時間的使用壽命。
4. **工業自動化**: 在工業控制系統和自動化設備中,AP9468GJ-VB 可以應用于電源管理、電機控制和各種負載開關應用,確保設備的穩定性和高效能運行。
5. **電池管理系統**: 在各種需要高效電池管理和充放電控制的系統中,AP9468GJ-VB 可以提供快速響應和精確控制,確保電池的安全和長壽命。
這些應用領域展示了AP9468GJ-VB 在要求高功率密度、高效率和可靠性的現代電子設備和系統中的重要作用,是工程師在設計高性能電路時的理想選擇。
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