--- 產品參數 ---
- 封裝 DIP8
- 溝道 Dual-N+P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### APM4568J-VB 產品簡介
APM4568J-VB 是一款高性能 MOSFET,采用雙 N-Channel 和 P-Channel 配置,封裝在 DIP8 封裝中。該 MOSFET 采用先進的溝槽技術,具有優異的開關性能和低導通電阻,適合各種需要高效電源管理和開關控制的應用。
### 詳細參數說明
- **封裝:** DIP8
- **配置:** 雙 N+P-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS):** ±30V
- **柵極-源極電壓 (VGS):** 20 (±V)
- **閾值電壓 (Vth):** ±1V
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
- N-Channel:4.5V 時 30mΩ,10V 時 25mΩ
- P-Channel:4.5V 時 30mΩ,10V 時 25mΩ
- **連續漏極電流 (ID):** 7.2A(N-Channel),-5A(P-Channel)
- **技術:** 溝槽技術
### 應用領域和模塊
1. **電源管理電路:**
- APM4568J-VB 的低導通電阻和高電流能力使其非常適合電源管理應用。它可以用于 DC-DC 轉換器、電源穩壓模塊等需要高效電源轉換和控制的電路。
2. **負載開關:**
- 由于其雙 N+P-Channel 配置,該 MOSFET 適合用作負載開關。它可以用來控制各種電子設備中的負載開關,例如在電池供電設備中進行負載切換,以提高系統的能效。
3. **電池保護電路:**
- APM4568J-VB 的 ±30V VDS 額定值和較高的電流處理能力使其適用于電池保護電路中。它能夠有效地防止過電流和過電壓的情況,從而保護電池及其相關電路的安全。
4. **電機驅動器:**
- 該 MOSFET 的低 RDS(ON) 和良好的開關性能使其在電機驅動應用中表現出色。它適合用于小型和中型電機的控制和驅動,提高電機系統的效率和穩定性。
5. **便攜式設備:**
- APM4568J-VB 的 DIP8 封裝適合用于需要緊湊封裝的便攜式電子設備。在這些設備中,MOSFET 的高效率和低功耗特性有助于延長設備的電池壽命,并優化整體性能。
總之,APM4568J-VB 是一款多用途 MOSFET,適合應用于電源管理、負載開關、電池保護、電機驅動以及便攜式設備中,提供高效、可靠的電源控制和開關解決方案。
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