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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSC123N10LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: BSC123N10LS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、產品簡介

**型號:BSC123N10LS G-VB**

BSC123N10LS G-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用DFN8(5x6)封裝。該MOSFET利用先進的Trench技術制造,具有較低的導通電阻和良好的電流處理能力,適合用于高效能的電源管理和開關應用。BSC123N10LS G-VB支持高達100V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),其門檻電壓(Vth)為2.5V,確保在適中的柵極電壓下能夠可靠開啟。該MOSFET在4.5V柵極電壓下的導通電阻(RDS(ON))為12.36mΩ,在10V柵極電壓下為9mΩ,能夠提供高達65A的連續漏極電流(ID)。這使其在高電壓和高電流需求的應用中表現出色。

### 二、詳細的參數說明

- **型號**: BSC123N10LS G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 100V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **門檻電壓(Vth)**: 2.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - @VGS = 4.5V: 12.36mΩ
 - @VGS = 10V: 9mΩ
- **連續漏極電流(ID)**: 65A
- **技術**: Trench

### 三、應用領域和模塊舉例

**電源管理系統**:BSC123N10LS G-VB在電源管理系統中的應用十分廣泛。由于其高電壓承受能力和較低的導通電阻,這款MOSFET非常適合用于DC-DC轉換器和開關電源中,能夠提高系統效率并減少功耗,適用于計算機電源、電源適配器和通信設備中的電源管理模塊。

**電動汽車**:在電動汽車的電機驅動和電池管理系統中,BSC123N10LS G-VB的高電流能力和高電壓承受能力使其能夠處理電動汽車中的高電流和高電壓需求。其低RDS(ON)特性有助于減少能量損耗,提高電動汽車的性能和續航能力。

**工業電源**:BSC123N10LS G-VB適用于高功率工業電源應用,如變頻器和高功率電源供應單元。其高電壓和高電流能力確保了系統在處理高功率負載時的高效穩定,適合在各種工業電源和動力系統中使用。

**LED驅動器**:對于高功率LED照明應用,BSC123N10LS G-VB的低導通電阻有助于減少功耗和熱量,提高LED的工作效率和使用壽命。其性能特點使其在高亮度LED照明系統和LED驅動模塊中表現優異。

**高壓開關**:在需要高電壓和高電流開關的應用中,如電機控制和功率轉換模塊,BSC123N10LS G-VB能夠提供穩定的開關性能。其高電壓承受能力和較低導通電阻使其成為高壓開關系統的理想選擇。

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