--- 產品參數 ---
- 封裝 DIP8
- 溝道 Dual-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### APM7326J-VB 產品簡介
APM7326J-VB 是一款高性能雙 N-Channel MOSFET,封裝在 DIP8 封裝中。該 MOSFET 采用先進的溝槽技術,具有優異的開關性能和低導通電阻,非常適合用于高電流和高效電源管理的應用。
### 詳細參數說明
- **封裝:** DIP8
- **配置:** 雙 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS):** 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS):** 20(±V)
- **閾值電壓 (Vth):** 1~3V
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
- 4.5V 時 18mΩ
- 10V 時 15mΩ
- **連續漏極電流 (ID):** 9.5A
- **技術:** 溝槽技術
### 應用領域和模塊
1. **電源管理電路:**
- APM7326J-VB 的低導通電阻和較高電流能力使其非常適合用于電源管理電路,如 DC-DC 轉換器和電源穩壓模塊。它能有效提高電源轉換效率,并減少功率損耗。
2. **負載開關:**
- 該 MOSFET 由于其雙 N-Channel 配置,適合用于負載開關應用。在各種電子設備中,能夠高效地控制電源供應,從而優化整體系統性能。
3. **電機驅動器:**
- APM7326J-VB 的高電流承載能力和低 RDS(ON) 使其在電機驅動應用中表現優異,例如在小型電機和步進電機的驅動控制中,能夠提供穩定的驅動性能和高效的電流控制。
4. **功率放大器:**
- 在功率放大器設計中,APM7326J-VB 由于其低導通電阻和良好的開關特性,適合用于高功率和高效能的應用,例如音頻功率放大器和射頻功率放大器。
5. **便攜設備:**
- 由于其緊湊的 DIP8 封裝,APM7326J-VB 適用于便攜式電子設備,如智能手機和平板電腦。這種 MOSFET 提供了高效的電源控制,有助于延長設備的電池壽命,并優化設備性能。
總之,APM7326J-VB 是一款高效的雙 N-Channel MOSFET,適用于電源管理、負載開關、電機驅動、功率放大器和便攜設備等領域,提供可靠的電源控制和高效的開關性能。
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