### APT11N80KC3-VB 產品簡介

APT11N80KC3-VB 是一款高電壓、高功率單 N-Channel MOSFET，封裝在 TO220 封裝中。該 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技術，能夠承受高達 800V 的漏極-源極電壓，適用于要求嚴格的高電壓應用。

### 詳細參數說明

- **封裝：** TO220
- **配置：** 單 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)：** 800V
- **柵極-源極電壓 (VGS)：** 30（±V）
- **閾值電壓 (Vth)：** 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))：** 380mΩ @ VGS=10V
- **連續漏極電流 (ID)：** 15A
- **技術：** SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊

1. **高壓電源管理：**
  - APT11N80KC3-VB 的 800V VDS 額定值使其非常適合用于高壓電源管理應用，例如高壓 DC-DC 轉換器和電源穩壓模塊。它能夠穩定地處理高電壓并控制電流流動，保證電源系統的高效運行。

2. **開關電源：**
  - 由于其高電壓耐受能力，該 MOSFET 適合在開關電源設計中使用，如電源適配器和電池充電器。它能夠承受高電壓的開關操作，同時提供低導通電阻，確保系統的穩定性和效率。

3. **工業控制：**
  - 在工業控制系統中，APT11N80KC3-VB 的高功率處理能力和高電壓耐受性使其適用于高電壓電機驅動和控制模塊。它能夠提供穩定的控制，適應各種高功率設備的需求。

4. **電機驅動：**
  - 在需要高電壓的電機驅動應用中，例如高功率電機驅動器，該 MOSFET 的高電流承載能力和優異的開關性能使其能夠可靠地驅動電機，并提高系統的總體效率。

5. **能源轉換：**
  - 在能源轉換設備中，例如逆變器和功率放大器，APT11N80KC3-VB 能夠處理高電壓并提供穩定的電流控制。其高功率處理能力使其在這些應用中表現優異，能夠提高系統的能效和可靠性。

總之，APT11N80KC3-VB 是一款高電壓、高功率的單 N-Channel MOSFET，適用于高壓電源管理、開關電源、工業控制、電機驅動和能源轉換等領域，提供可靠的電流控制和高效的開關性能。