--- 產品參數 ---
- 封裝 TO251
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
AUIRFU024N-VB是一款高性能單N溝道場效應晶體管(MOSFET),封裝形式為TO251,采用Trench技術。它在60V的最大漏源電壓下,具備低導通電阻和高電流處理能力,非常適合用于高效開關電路和電源管理系統中。
### 參數說明
- **型號**: AUIRFU024N-VB
- **封裝**: TO251
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 37mΩ @ VGS = 4.5V
- 32mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 35A
- **技術**: Trench
### 應用領域
AUIRFU024N-VB適用于以下領域:
1. **電源管理**: 在電源轉換器和開關電源模塊中使用,提供低導通阻抗和高電流處理能力,提升電源效率和穩定性。
2. **電動汽車**: 在電動汽車的電池管理系統中,處理高電流,優化電動驅動性能。
3. **工業控制**: 用于工業控制系統中的開關電路,支持高電流負載,提高系統可靠性。
4. **消費電子**: 在消費電子設備中,如LED驅動和電池管理應用中,用于高效開關和電流調節。
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