### 產品簡介
**B266L-VB** 是一款單極N溝道MOSFET，封裝形式為TO263。采用Trench技術，具有極低的導通電阻和超高電流承載能力。此MOSFET專為高功率和高效率應用設計，能夠在高電流和中等電壓條件下提供卓越的性能，適合用于要求高開關速度和低功耗的電力電子系統。
### 參數說明
- **型號**：B266L-VB
- **封裝**：TO263
- **配置**：單極N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：60V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 3.2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**：210A
- **技術**：Trench
### 適用領域和模塊
**B266L-VB** MOSFET 在以下領域和模塊中表現優異：
1. **高效開關電源**：其超低導通電阻和高電流能力使其非常適合用于高效開關電源中，能夠顯著提高電源的轉換效率并減少能量損失。
2. **高功率DC-DC轉換器**：在高功率DC-DC轉換器中，此MOSFET 能夠處理大電流負載，同時保持較低的導通電阻，確保高效穩定的電源轉換。
3. **電機驅動系統**：適用于電機驅動應用，能夠在高電流負載下穩定工作，提高電機驅動的效率和性能。
4. **LED驅動**：在高功率LED驅動電路中，B266L-VB 提供穩定的電流輸出，有助于提升LED的亮度和效率。
5. **汽車電子**：適合用于汽車電子系統中的高功率開關和電源管理模塊，能夠在高電流條件下提供穩定的性能，增強汽車系統的可靠性。