### 一、產品簡介

**AUIRLS3036-VB** 是一款高性能單N溝道功率MOSFET，封裝形式為TO263。該MOSFET專為高電流和高效率的開關應用而設計，具有60V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS）。其閾值電壓（Vth）為3V，確保在較低的柵源電壓下也能有效導通。AUIRLS3036-VB具有極低的導通電阻，在VGS為4.5V時為7mΩ，在VGS為10V時僅為2.5mΩ，提供卓越的電流傳輸性能。其最大連續漏極電流（ID）高達270A，采用Trench技術，優化了導通性能和熱管理，非常適合要求高電流處理的應用場景。

### 二、詳細參數說明

1. **型號：** AUIRLS3036-VB
2. **封裝：** TO263
3. **配置：** 單N溝道
4. **漏源電壓（VDS）：** 60V
5. **柵源電壓（VGS）：** ±20V
6. **閾值電壓（Vth）：** 3V
7. **導通電阻（RDS(ON)）：**
  - 7mΩ @ VGS=4.5V
  - 2.5mΩ @ VGS=10V
8. **連續漏極電流（ID）：** 270A
9. **技術：** Trench

### 三、適用領域和模塊舉例

**AUIRLS3036-VB** MOSFET因其卓越的電流處理能力和極低的導通電阻，在多個高要求應用領域中具有重要作用。在電力轉換系統中，這款MOSFET適用于高功率開關電源，如高效的DC-DC轉換器和AC-DC電源模塊，能夠提供穩定的電流開關和高效能。在汽車電子領域，它可以用于電動驅動系統、電池管理系統和車載電源轉換器，幫助提升電力傳輸效率和系統穩定性。在工業設備中，如電機驅動器和電源管理模塊，AUIRLS3036-VB能夠處理高電流負載，并提供卓越的性能。在通訊設備中，這款MOSFET也適用于高功率放大器和射頻開關，確保信號的穩定傳輸和處理。由于其TO263封裝和高電流承載能力，這款MOSFET特別適合用于需要高電流密度和高效散熱的應用場合。