--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
AULS3114Z-VB 是一款高性能單極 N 通道 MOSFET,采用 TO263 封裝。該 MOSFET 使用先進的 Trench 技術,具有 40V 的漏極源極電壓(VDS)和 100A 的連續漏極電流(ID)。其導通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 4.5V 時為 6mΩ,在 VGS 為 10V 時為 5mΩ,提供極低的開關損耗和高效能。閾值電壓(Vth)為 2.5V,VGS 范圍為 ±20V,保證了廣泛的應用適應性和可靠性。
### 詳細參數說明
- **型號**: AULS3114Z-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極 N 通道
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術**: Trench
### 適用領域和模塊示例
AULS3114Z-VB 適用于以下領域和模塊:
1. **高功率電源管理**: 用于高功率轉換器和高效能電源模塊中,以提供低導通阻抗和高電流承載能力。
2. **電動汽車**: 在電動汽車的驅動系統中作為高電流開關,幫助控制電動機的操作和能量管理。
3. **電源保護電路**: 在各種電源保護電路中應用,確保電流過載時的快速斷開和保護功能。
4. **DC-DC 轉換器**: 在高效的 DC-DC 轉換器中使用,以提高轉換效率和減少能量損失。
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