### 產品簡介

**型號**: B120NH03L-VB  
**封裝**: TO263  
**配置**: 單極性N溝道MOSFET  
**耐壓**: 30V  
**門源電壓**: ±20V  
**閾值電壓**: 1.7V  
**導通電阻**:  
- 2.7mΩ @ V_GS = 4.5V  
- 2.4mΩ @ V_GS = 10V  
**最大漏電流**: 98A  
**技術**: 溝槽型

### 詳細參數說明

- **型號**: B120NH03L-VB  
- **封裝類型**: TO263  
- **配置**: 單N溝道MOSFET  
- **漏極-源極耐壓 (V_DS)**: 30V  
- **柵極-源極最大電壓 (V_GS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (V_th)**: 1.7V  
- **導通電阻 (R_DS(ON))**:
 - 2.7mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 2.4mΩ @ V_GS = 10V  
- **最大漏電流 (I_D)**: 98A  
- **技術類型**: 溝槽型技術

### 應用領域與模塊示例

1. **DC-DC 轉換器**  
  B120NH03L-VB 的低導通電阻和高漏電流能力使其非常適合用于高效能的DC-DC轉換器，提升系統轉換效率并減少功耗損失。

2. **電源管理系統**  
  在電源管理系統中，該MOSFET的高電流能力和低R_DS(ON) 特性可以用于電流開關，優化功率分配和保護電路。

3. **功率放大器**  
  由于其低導通電阻，B120NH03L-VB 可用于功率放大器的開關模塊，以提升信號放大效能并減少能量浪費。

4. **電機驅動控制**  
  適用于電機驅動控制系統中，能夠提供高電流支持和低功耗開關，確保電機運行穩定和高效。