### 產品簡介

**B15S65L-VB** 是一款高壓單極性N通道場效應晶體管，封裝形式為TO263。這款MOSFET采用SJ_Multi-EPI技術，能夠處理高達650V的漏源電壓，適用于高電壓和高功率應用。其設計目標是提供高效的開關性能和穩定的操作，特別是在需要高耐壓和高電流能力的場合。

### 詳細參數說明

- **型號**: B15S65L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極N通道
- **漏源電壓 (V_DS)**: 650V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±30V
- **閾值電壓 (V_th)**: 3.5V
- **導通電阻 (R_DS(on))**: 300mΩ (V_GS = 10V)
- **最大漏電流 (I_D)**: 15A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 適用領域和模塊

1. **電源供應**：在高壓電源供應系統中，B15S65L-VB能夠處理高達650V的電壓，適合用于電源開關和功率轉換器，提供高效的開關性能和穩定的電壓輸出。

2. **逆變器**：適用于太陽能逆變器和其他高電壓逆變器系統中，通過其高電壓耐受能力和穩定的開關特性，支持高效能的能量轉換和管理。

3. **工業設備**：在工業自動化和控制系統中，這款MOSFET能夠處理高電壓和高功率負載，用于電機驅動和控制系統，確保設備的可靠性和穩定運行。

4. **高壓開關**：在高壓開關應用中，B15S65L-VB作為開關元件使用，能夠處理大電流和高電壓負載，確保開關操作的安全性和高效性。