--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**型號**: B200NF03-VB
**封裝**: TO263
**配置**: 單極性N溝道MOSFET
**耐壓**: 30V
**門源電壓**: ±20V
**閾值電壓**: 1.7V
**導通電阻**:
- 3.2mΩ @ V_GS = 4.5V
- 2.3mΩ @ V_GS = 10V
**最大漏電流**: 150A
**技術**: 溝槽型
### 詳細參數說明
- **型號**: B200NF03-VB
- **封裝類型**: TO263
- **配置**: 單N溝道MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (V_DS)**: 30V
- **柵極-源極最大電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: 1.7V
- **導通電阻 (R_DS(ON))**:
- 3.2mΩ @ V_GS = 4.5V
- 2.3mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏電流 (I_D)**: 150A
- **技術類型**: 溝槽型技術
### 應用領域與模塊示例
1. **高效電源轉換器**
B200NF03-VB 的低導通電阻和高電流能力使其非常適合用于高效電源轉換器中,能夠提升轉換效率并減少功耗損失,適用于各種電源管理應用。
2. **電動汽車功率控制**
該MOSFET 可用于電動汽車的功率控制系統,通過提供穩定的高電流支持,確保電動車動力系統的高效和可靠性。
3. **大功率LED驅動**
在大功率LED驅動電路中,B200NF03-VB 能夠處理高電流負載并有效降低能量損耗,確保LED的高效能和延長使用壽命。
4. **電機驅動系統**
適用于電機驅動模塊,B200NF03-VB 的高電流處理能力和低導通電阻使其能在電機控制應用中提供可靠的開關性能和優化電機運行效率。
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