**產品簡介**

B20NK50Z-VB是一款高電壓、高性能的單N通道場效應晶體管（MOSFET），采用TO-263封裝和SJ_Multi-EPI技術。此器件設計用于高電壓應用，能夠處理高達650V的漏源電壓，同時具有20A的最大漏電流。其低導通電阻和高耐壓性能使其在高功率和高電壓條件下表現出色。

**詳細參數說明**

- **型號**：B20NK50Z-VB
- **封裝**：TO-263
- **配置**：單N通道
- **最大漏源電壓 (V_DS)**：650V
- **最大柵源電壓 (V_GS)**：±30V
- **閾值電壓 (V_th)**：3.5V
- **導通電阻 (R_DS(ON))**：160mΩ@V_GS=10V
- **最大漏電流 (I_D)**：20A
- **技術**：SJ_Multi-EPI工藝

**應用領域和模塊**

1. **高壓電源轉換器**：B20NK50Z-VB適用于高電壓DC-DC轉換器和AC-DC電源供應系統，能夠有效處理高電壓和高功率負載，提高系統的效率和穩定性。

2. **電力逆變器**：在電力逆變器應用中，此MOSFET能處理650V的高電壓，適合用于太陽能逆變器和風能逆變器，提升轉換效率和可靠性。

3. **工業電源管理**：用于工業設備中的電源管理系統，提供高電壓耐受能力和穩定的開關性能，尤其適合要求高電壓處理的場合。

4. **電動汽車充電系統**：在電動汽車的充電系統中，該MOSFET能夠處理高電壓輸入，保證充電過程的安全性和高效性。